高溫高壓激光浮區單晶爐
上海潤洽公司推出的激光浮區法單晶生長系統是新一代高性能激光浮區爐具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩定的性能,將浮區法晶體生長技術推向一個全新的高度!
應用領域:可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域相關單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。
激光浮區法單晶生長系統可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域相關單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統的激光浮區法單晶生長系統相比,上海潤洽公司推出的新一代激光浮區法單晶爐系統具有以下技術優勢:
1、采用全新五束激光設計,確保熔區能量分布更加均勻。
2、更加科學的激光光斑優化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應力。
3、采用了特的實時溫度集成控制系統。
技術參數
| 機器型號 | RQM-0020 | RQM-0050 | RQM-0100 |
| 清洗寬度 | 0-80mm(可定制) | 0-80mm(可定制) | 0-80mm(可定制) |
| 激光功率 | 20W | 50W | 100W |
| 激光波長 | 1064±5nm | 1064nm±5nm | 1064nm±5nm |
| 適用材料 | 金屬表面 | 金屬表面 | 金屬表面 |
| 脈沖頻率 | 10-100KHZ | 10-100KHZ | 10-100KHZ |
| 清洗速度(浮銹) | 0.5-1.5m2/h | 1-3m2/h | 3-5m2/h |
| 掃描速度 | ≤6000mm/s | ≤6000mm/s | ≤6000mm/s |
| 設備功率 | ≤800W | ≤1000KW | ≤1500W |
| 定位精度 | ±0.03mm | ±0.03mm | ±0.03mm |
| 重復定位精度 | ±0.02mm/m | ±0.02mm/m | ±0.02mm/m |
| 冷卻方式 | 風冷 | 風冷 | 風冷 |
| 電力需求 | AC220V | AC220V | AC220V |
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